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SI7972DP-T1-GE3
2个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，针对PWM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：系统电源DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7972DP-T1-GE3
- 商品编号
- C727693
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 脉宽调制(PWM)优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 系统电源直流-直流(DC/DC)转换