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SIZ342DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:15.6A
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- 描述
- 特性：PowerPAIR优化了用于同步降压转换器的高端和低端MOSFET。 TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：同步降压。 电池充电
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZ342DT-T1-GE3
- 商品编号
- C727690
- 商品封装
- PowerPAIR-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V,14.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 236pF |
商品特性
- PowerPAIR为同步降压转换器优化了高端和低端MOSFET
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步降压-电池充电-计算机系统电源-显卡-负载点电源