SQJ454EP-T1_GE3
耐压:200V 电流:13A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:TrenchFET功率MOSFET,符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ454EP-T1_GE3
- 商品编号
- C727681
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 133pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐
- SQJ980AEP-T1_GE3
- SQJA04EP-T1_GE3
- SQJB00EP-T1_GE3
- SQJB60EP-T1_GE3
- SUD08P06-155L-GE3
- SIA413DJ-T1-GE3
- SI7623DN-T1-GE3
- SIHFL9014TR-GE3
- SIZ342DT-T1-GE3
- SQJ474EP-T1_GE3
- SI7972DP-T1-GE3
- SQ4005EY-T1_GE3
- SQJ416EP-T1_GE3
- SI8409DB-T1-E1
- SIHP5N50D-E3
- SQ4937EY-T1_GE3
- SQJ262EP-T1_GE3
- SQJ860EP-T1_GE3
- IRF820APBF
- IRFI9610GPBF
- IRFR024PBF
