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SI4491EDY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:29A
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- 描述
- 特性：扩展的VGS范围 (±25V)，适用于适配器开关应用。 极低的RDS(on)。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。 典型ESD性能：4000V (4HM)。应用：适配器开关，负载开关。 电源管理
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4491EDY-T1-GE3
- 商品编号
- C727678
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,29A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.62nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 820pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交5单
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