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SIS454DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:35A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：DC/DC 转换器。 笔记本电脑
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS454DN-T1-GE3
- 商品编号
- C727680
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- DC/DC 转换器
- 笔记本电脑
- 负载点（POL）
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