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IRF820PBF实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRF820PBF

1个N沟道 耐压:500V 电流:1.6A

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描述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。对于功率耗散水平约为50 W的商业 - 工业应用，TO - 220AB封装是普遍首选。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRF820PBF
商品编号
C727673
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.812克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)1.6A
导通电阻(RDS(on))3Ω@10V,1.5A
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)24nC@10V
输入电容(Ciss)360pF
反向传输电容(Crss)37pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)92pF

数据手册PDF

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