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SI5948DU-T1-GE3
双N沟道，40 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 新型热增强型PowerPAK ChipFET封装。 小封装面积。 低导通电阻。 0.8mm薄型。应用：DC/DC电源
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI5948DU-T1-GE3
- 商品编号
- C727652
- 商品封装
- SMD-8P,3.2x1.6mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 165pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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