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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
功率MOSFET技术是威世（Vishay）先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计采用高效的几何结构和独特的工艺，实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和出色的器件耐用性。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-表面贴装(IRFR9210、SiHFR9210)-直引脚(IRFU9210、SiHFU9210)-提供卷带包装-P沟道-快速开关