- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIRA66DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA66DP-T1-GE3
- 商品编号
- C727610
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.014nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.032nF | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
商品特性
- 第四代沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- 电压调节模块(VRMs)和嵌入式DC/DC
- 同步降压转换器