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SI3590DV-T1-E3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:3A 停产
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 超低RDS(on)的n沟道和p沟道，实现高效率。 针对高端/低端进行优化。 最小化传导损耗。应用：便携式设备，包括个人数字助理、手机和寻呼机
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3590DV-T1-E3
- 商品编号
- C727597
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@2.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 超低导通电阻（RDS(on)）的N沟道和P沟道，实现高效率
- 针对高端/低端应用优化
- 最小化传导损耗
应用领域
- 便携式设备，包括个人数字助理（PDA）、手机和寻呼机
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