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IRF510PBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:5.6A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装在功率耗散水平约为50W的所有商业-工业应用中普遍受到青睐。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF510PBF
- 商品编号
- C727603
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.853克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@10V,3.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约达50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛认可。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
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