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SQD15N06-42L_GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:15A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。 通过AEC-Q101认证。 封装热阻低
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD15N06-42L_GE3
- 商品编号
- C727590
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 535pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
- 采用低热阻封装
- 符合RoHS标准
- 无卤素
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