IRLU110PBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.3A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRLU110PBF
- 商品编号
- C727583
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRLU、SiHLU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- 符合IEC 61249 - 2 - 21定义的无卤要求
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 表面贴装(IRLR110、SiHLR110)
- 直引脚(IRLU110、SiHLU110)
- 提供卷带包装
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
- 符合RoHS指令2002/95/EC
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