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IRLR110PBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.3A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRLU、SiHLU系列）适用于通孔安装应用
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRLR110PBF
- 商品编号
- C727580
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@5.0V,2.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
优惠活动
购买数量
(75个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个75个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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