SIHU3N50DA-GE3
SIHU3N50DA-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHU3N50DA-GE3
- 商品编号
- C727557
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 优化设计
- 低面积比导通电阻
- 低输入电容(Ciss)
- 降低电容开关损耗
- 高体二极管耐用性
- 雪崩能量额定值(UIS)
- 最佳效率和运行性能
- 低成本
- 简单的栅极驱动电路
- 低品质因数(FOM):Ron × Qg
- 快速开关
应用领域
- 消费电子
- 显示器(LCD 或等离子电视)
- 服务器和电信电源
- 开关电源(SMPS)
- 工业领域
- 焊接、感应加热、电机驱动
- 电池充电器