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SIA414DJ-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIA414DJ-T1-GE3

耐压:8V 电流:12A

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描述
特性:沟道式场效应晶体管功率MOSFET。 新型热增强型PowerPAK SC-70封装。 小封装面积。应用:便携式应用的负载开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIA414DJ-T1-GE3
商品编号
C727574
商品封装
PowerPAK-SC-70-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0376克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)8V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))41mΩ@1.2V,2.4A
耗散功率(Pd)12W
阈值电压(Vgs(th))800mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@4V
输入电容(Ciss)1.8nF@4V
反向传输电容(Crss)450pF@4V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)650pF

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