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SQJA86EP-T1_GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:30A
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- 描述
- 特性：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。AEC-Q101认证。100%进行Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJA86EP-T1_GE3
- 商品编号
- C727550
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- N沟道MOSFET
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