商品概述

汽车级 N 沟道 60 V（漏源极）、175 °C MOSFET，PowerPAK 1212-8 单管封装。PowerPAK 是一种解决这些问题的新型封装技术。PowerPAK 1212-8 在小封装中提供超低热阻，非常适合空间受限的应用。PowerPAK 1212-8 封装是 PowerPAK SO-8 的派生产品。它采用相同的封装技术，最大限度地增大了芯片面积。芯片附着焊盘底部外露，为器件所安装的基板提供了直接的低电阻热通道。因此，PowerPAK 1212-8 将 PowerPAK SO-8 的优势融入更小的封装中，并具备相同的热性能水平。其占位面积与 TSOP-6 相当，比标准 TSSOP-8 小 40%以上。其芯片容量是标准 TSOP-6 的两倍多。其热性能比 SO-8 好一个数量级，比 TSSOP-8 好 20 倍。其热性能优于市场上所有现有的 SMT 封装。它能利用任何 PCB 板的散热能力。与 TSSOP-8 相比，降低结温还能使芯片效率提高约 20%。对于通常仅出于散热考虑而需要更大封装的应用，PowerPAK 1212-8 是一个不错的选择。单管和双管 PowerPAK 1212-8 与单管和双管 PowerPAK SO-8 采用相同的引脚排列。1.05 mm 的低矮 PowerPAK 外形使这两种版本都成为空间受限应用的理想选择。

商品特性

TrenchFET 功率 MOSFET
通过 AEC-Q101 认证
100% 进行 Rg 和 UIS 测试
符合 RoHS 标准且无卤

应用领域

空间受限的应用

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	12A
	导通电阻(RDS(on))	21.5mΩ@10V,6.1A
	耗散功率(Pd)	33W
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	41nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.021nF@30V
	反向传输电容(Crss)	66pF@30V
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	132pF

SQS850EN-T1_GE3

商品参数

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