SQS850EN-T1_GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SQS850EN-T1_GE3商品编号
C727542商品封装
PowerPAK1212-8包装方式
编带
商品毛重
0.065克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 21.5mΩ@6.1A,10V | |
功率(Pd) | 33W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 41nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.021nF@30V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 66pF@30V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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