SQS420EN-T1_GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:8A
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- 描述
- 特性:符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤产品。 TrenchFET 功率 MOSFET。 通过 AEC-Q101 认证。 100%进行 Rg 和 UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQS420EN-T1_GE3
- 商品编号
- C727529
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交5单
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