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SISA01DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:60A 电流:22.4A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。在紧凑的符合RoHS标准且散热增强的无卤封装中提供极低的RDS(ON)。实现更高的功率密度。100%进行Rg和UIS测试。应用：移动设备中的电池管理。适配器和充电器开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISA01DN-T1-GE3
- 商品编号
- C727518
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.178克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22.4A；60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W；52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.49nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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