SIS438DN-T1-GE3

1个N沟道耐压:20V 电流:16A

描述: N沟道20 V（漏-源极）MOSFET。
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIS438DN-T1-GE3
商品编号: C727525
商品封装: PowerPAK1212-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.069克(g)

商品参数

商品概述

N沟道20 V（D-S）MOSFET，PowerPAK 1212-8单通道封装。PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的派生产品，采用相同的封装技术以最大化芯片面积。芯片底部的焊盘外露，为安装器件的基板提供直接的低电阻热路径，将PowerPAK SO-8的优势融入更小的封装中，具备相同的热性能水平。其占地面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上，芯片容量是标准TSOP-6的两倍多，热性能比SO-8好一个数量级，比TSSOP-8好20倍，能够利用任何PCB板的散热能力，与TSSOP-8相比，可降低结温，使芯片效率提高约20%。单通道和双通道PowerPAK 1212-8与单通道和双通道PowerPAK SO-8采用相同的引脚排列，1.05 mm的低高度使其成为空间受限应用的理想选择。

商品特性

第三代沟槽式场效应晶体管（TrenchFET Gen III）功率MOSFET
100%进行Rg和UIS测试

应用领域

DC/DC转换-负载点(POL)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	16A
	导通电阻(RDS(on))	9.5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	3.5W
	阈值电压(Vgs(th))	1V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	7.3nC@10V
	输入电容(Ciss)	880pF@10V
	反向传输电容(Crss)	125pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	310pF