IRFU214PBF
1个N沟道 耐压:250V 电流:1.4A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插引脚版本适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5W。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFU214PBF
- 商品编号
- C727524
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 表面贴装(IRFR214、SiHFR214)
- 直引脚(IRFU214、SiHFU214)
- 提供卷带包装
- 快速开关
- 易于并联
- 符合RoHS标准
- 无卤
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