温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFU214PBF
1个N沟道 耐压:250V 电流:1.4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插引脚版本适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5W。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFU214PBF
- 商品编号
- C727524
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,1.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
优惠活动
购买数量
(75个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个75个/管
近期成交2单
相似推荐
其他推荐
- SIS438DN-T1-GE3
- SQ3987EV-T1_GE3
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- SQS420EN-T1_GE3
- SI2319DS-T1-E3
- SI3438DV-T1-E3
- SI5424DC-T1-GE3
- SQ3418AEEV-T1_GE3
- SQ3419AEEV-T1_GE3
- SQ3426AEEV-T1_GE3
- SQ3460EV-T1_GE3
- SIRA18DP-T1-RE3
- SISA24DN-T1-GE3
- SIHFR1N60ATR-GE3
- SQS850EN-T1_GE3
- SUD80460E-GE3
- SI2333DS-T1-GE3
- SI7326DN-T1-E3
- SI3459BDV-T1-E3
- SI3590DV-T1-GE3
- SQJA86EP-T1_GE3