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SIHU3N50D-GE3引脚图
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SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHU3N50D-GE3
商品编号
C727511
商品封装
TO-251-3​
包装方式
管装
商品毛重
0.677克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)1.9A
导通电阻(RDS(on))2.6Ω@10V
耗散功率(Pd)69W
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)6nC
属性参数值
输入电容(Ciss)175pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)21pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品特性

-优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容(Ciss)-降低电容性开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值(UIS)-最佳效率和运行性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数(FOM):Ron × QG-快速开关

应用领域

-消费电子-显示器(LCD 或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源(SMPS)-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器

数据手册PDF