SI8902AEDB-T2-E1
SI8902AEDB-T2-E1
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8902AEDB-T2-E1
- 商品编号
- C727514
- 商品封装
- MicroFoot-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Vishay Siliconix的MICRO FOOT产品系列基于晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP)技术,该技术采用焊球工艺,无需外部封装来包裹硅芯片。MICRO FOOT产品包括功率MOSFET、模拟开关和功率IC。 对于电池供电的紧凑型设备,这种新的封装技术减少了电路板空间需求,提高了热性能,并减轻了有引脚封装产品常见的寄生效应。Vishay Siliconix的MICRO FOOT产品可以采用与大批量组装表面贴装器件相同的工艺技术进行处理。只要适当注意PCB和模板设计,该器件无需底部填充即可实现可靠性能。该器件占用空间小且热路径短的优势使其成为便携式设备(如电池组、PDA、手机和笔记本电脑)等空间受限应用的理想选择。
商品特性
- TrenchFET®功率MOSFET
- 外形尺寸小,为2.4 mm x 1.6 mm
- 最大高度薄,为0.6 mm
- 典型ESD保护为5000 V(HBM)
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电池保护开关-双向开关
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