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SIS406DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:14A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，针对PWM进行了优化。 新型低热阻PowerPAK封装，厚度低至1.07mm。 100%进行Rg和UIS测试。应用：适配器开关。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS406DN-T1-GE3
- 商品编号
- C727501
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 脉宽调制(PWM)优化
- 采用新型低热阻PowerPAK封装,高度仅1.07 mm
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 适配器开关
- 负载开关
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