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SI7326DN-T1-GE3实物图
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SI7326DN-T1-GE3

1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A

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描述
特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 新型低热阻 PowerPAK 封装，高度仅 1.07 mm。 100% 进行 Rg 测试。应用：DC/DC 转换
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI7326DN-T1-GE3
商品编号
C727506
商品封装
PowerPAK1212-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.179克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on))19.5mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)13nC@5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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