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SIHLL110TR-GE3

1个N沟道耐压:100V 电流:0.93A

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描述: 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。SOT-223封装设计用于使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。其独特的封装设计允许像其他SOT或SOIC封装一样轻松自动拾取和放置，但由于用于散热的扩大焊片，具有改善热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可能超过1.25W。
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHLL110TR-GE3
商品编号: C727482
商品封装: SOT-223
包装方式: 编带
商品毛重: 0.31克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计允许像其他SOT或SOIC封装一样轻松进行自动拾放，并且由于散热片采用了加大的散热片，还具有改善热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可能超过1.25 W。

商品特性

表面贴装
提供卷带包装
动态dV/dt额定值
重复雪崩额定值
逻辑电平栅极驱动
在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
快速开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	930mA
	导通电阻(RDS(on))	540mΩ@5V
	耗散功率(Pd)	3.1W
	阈值电压(Vgs(th))	2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	6.1nC
	输入电容(Ciss)	250pF
	反向传输电容(Crss)	15pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	80pF