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SIHLL110TR-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.93A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。SOT-223封装设计用于使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。其独特的封装设计允许像其他SOT或SOIC封装一样轻松自动拾取和放置，但由于用于散热的扩大焊片，具有改善热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可能超过1.25W。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHLL110TR-GE3
- 商品编号
- C727482
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 930mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@5.0V,0.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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