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SI4447DY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:3.9A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4447DY-T1-GE3
- 商品编号
- C727483
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.346062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 805pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 100%进行单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
应用领域
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）逆变器
- P沟道MOSFET
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