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SISA14DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISA14DN-T1-GE3
- 商品编号
- C727488
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.57W；26.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
-直流-直流转换-同步整流-同步降压转换器-直流-交流逆变器
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