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SI3477DV-T1-GE3
P沟道，12 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 PWM优化。 100% Rg测试。 材料分类：有关合规性定义请参阅相关文档。应用：负载开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3477DV-T1-GE3
- 商品编号
- C727480
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 针对PWM优化
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 负载开关-DC/DC转换器
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