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SIRA14DP-T1-GE3

1个N沟道耐压:30V 电流:58A

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描述: 特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：高功率密度DC/DC同步整流。嵌入式DC/DC
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIRA14DP-T1-GE3
商品编号: C727473
商品封装: PowerPAKSO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.12克(g)

商品参数

商品概述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET，PowerPAK SO-8 Single。PowerPAK是一种新的封装技术，PowerPAK SO-8利用与标准SO-8相同的封装尺寸和引脚排列，可直接替代标准SO-8封装。作为无引脚封装，PowerPAK SO-8利用整个SO-8封装尺寸，释放了通常由引脚占据的空间，因此能够容纳比标准SO-8更大的芯片。芯片底部的贴装焊盘暴露在外，用于提供直接的低电阻热路径到安装器件的基板。此外，该封装高度低于标准SO-8，非常适合对空间有要求的应用。

商品特性

TrenchFET第四代功率MOSFET
100%进行Rg和UIS测试

应用领域

高功率密度DC/DC-同步整流-嵌入式DC/DC

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	58A
	导通电阻(RDS(on))	5.1mΩ@10V,10A
	耗散功率(Pd)	3.6W；31.2W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V
	栅极电荷量(Qg)	29nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.45nF@15V
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)