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SIS427EDN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS427EDN-T1-GE3
- 商品编号
- C727478
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.6mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W；52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET®功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 典型ESD性能：2500 V（HBM）
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 笔记本电脑电池充电
- 笔记本电脑适配器开关
- 移动计算设备的负载开关/电源管理
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