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SI4403DDY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:15.4A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4403DDY-T1-GE3
- 商品编号
- C727481
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 99nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.25nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 第三代沟槽式场效应管（TrenchFET）P沟道功率MOSFET
- 额定1.8 V的导通电阻（RDS(on)）
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 适配器开关
- 负载开关
- DC/DC转换器
- 高速开关
- 电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理
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