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SQ1912AEEH-T1_GE3
2个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 描述
- 新的带铜引脚框架的双6引脚SC-70封装与现有的带合金42引脚框架的3引脚和6引脚封装相比，可实现更低的导通电阻值和更高的热性能。这些器件适用于需要小型封装的中小负载应用。该封装的器件有一系列导通电阻值，包括n沟道和p沟道版本。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ1912AEEH-T1_GE3
- 商品编号
- C727475
- 商品封装
- SOT-363-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@4.5V,1.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 27pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
采用铜引脚框架的新型双6引脚SC-70封装，与现有的采用42号合金引脚框架的3引脚和6引脚封装相比，可改善导通电阻值并增强热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。该封装的器件有多种导通电阻值可供选择，包括N沟道和P沟道版本。
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 典型静电放电（ESD）保护：800 V
应用领域
- 需要小型化封装的中小负载应用
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