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SIP32458DB-T2-GE1
20 mΩ、带斜率控制的高侧负载开关
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- 描述
- SiP32458和SiP32459是压摆率可控的集成高端负载开关，工作输入电压范围为1.5 V至5.5 V。SiP32458和SiP32459采用P沟道MOSFET开关元件，并集成了栅极泵，可在较宽的输入电压范围内实现20 mΩ的导通电阻。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIP32458DB-T2-GE1
- 商品编号
- C727470
- 商品封装
- WLCSP-6(1x1.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 低电平有效 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 3A | |
| 工作电压 | 1.5V~5.5V | |
| 导通电阻 | 20mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
SiP32458和SiP32459是压摆率可控的集成高端负载开关，工作输入电压范围为1.5 V至5.5 V。 SiP32458和SiP32459采用P沟道MOSFET开关元件，集成了栅极泵，可在较宽的输入电压范围内提供20 mΩ的导通电阻。 这些器件具有低电压逻辑控制阈值，可直接与低电压控制I/O接口，无需额外的电平转换或驱动器。逻辑控制EN引脚集成了一个2.8 MΩ的下拉电阻。 SiP32458和SiP32459在3 ms范围内的缓慢压摆率可限制浪涌电流，并将开关噪声降至最低。 SiP32458具有反向电流阻断能力，而SiP32459则集成了输出放电开关。 SiP32458和SiP32459均采用紧凑型晶圆级WCSP封装，即尺寸为1 mm x 1.5 mm、间距为0.5 mm的WCSP6封装。 SiP32458和SiP32459是设计用作高端负载开关的P沟道功率MOSFET。它们在栅极集成了负电荷泵，在导通时保持栅源电压较高，因此在较低输入电压范围内保持低导通电阻。SiP32458和SiP32459设计有缓慢的压摆率，以在导通期间将浪涌电流降至最低。SiP32458具有反向阻断电路，可在输出电压高于输入电压时防止电流回流到输入端。SiP32459具有输出下拉电阻，可在器件关断时对输出电容进行放电。
商品特性
- 低输入电压，1.5 V至5.5 V
- 低导通电阻，5 V时典型值为20 mΩ
- 压摆率控制
- 符合RoHS标准
- 与1.2 V逻辑兼容
- 无卤
- 禁用时具备反向电流阻断功能（SiP32458，无输出放电开关）
- 集成输出放电开关（仅SiP32459）
- EN引脚集成下拉电阻
- 6凸点WCSP封装
应用领域
- 电池供电设备
- 智能手机
- GPS和PMP
- 计算机
- 医疗保健设备
- 工业和仪器
- 手机和便携式媒体播放器
- 游戏机