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SIP32454DB-T2-GE1实物图
  • SIP32454DB-T2-GE1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIP32454DB-T2-GE1

SIP32454DB-T2-GE1

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIP32454DB-T2-GE1
商品编号
C727452
商品封装
WCSP-4(0.8x0.8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.044克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录功率电子开关
类型高侧开关
通道数1
输入控制逻辑低电平有效
属性参数值
最大连续电流1.2A
工作电压800mV~2.5V
导通电阻28mΩ
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

SiP32454和SiP32455是压摆率可控的集成高端负载开关,工作输入电压范围为0.8 V至2.5 V。SiP32454和SiP32455采用n沟道MOSFET开关元件,导通电阻为28 mΩ。在1.2 V时压摆率为1 ms,在2.5 V时为1.5 ms,可限制浪涌电流并将开关噪声降至最低。这些器件的低电压逻辑控制阈值可直接与低电压控制I/O接口,无需额外的电平转换或驱动器。逻辑控制EN引脚集成了一个2 MΩ的下拉电阻。SiP32454集成了一个关断输出放电电路。 SiP32454和SiP32455均采用紧凑的晶圆级CSP封装,即WCSP4 0.8 mm x 0.8 mm,间距为0.4 mm。 SiP32454和SiP32455是设计用作高端负载开关的n沟道功率MOSFET。启用器件后,电荷泵将功率MOSFET的栅极充电至恒定的栅源电压,实现快速导通时间。在整个输入电压范围内,基本恒定的栅源电压可保持低导通电阻。SiP32454和SiP32455采用慢压摆率设计,可在导通期间将浪涌电流降至最低。由于输出n沟道的衬底始终连接到地,因此当输出电压高于输入电压时,可防止电流回流到输入。特别是SiP32454集成了一个有源输出下拉电阻,可在器件关断时对输出电容进行放电。

商品特性

  • 低输入电压,0.8 V至2.5 V
  • 低导通电阻,典型值为28 mΩ
  • 压摆率控制
  • 带迟滞的低逻辑控制
  • 禁用时反向电流阻断
  • SiP32454集成输出放电开关
  • EN引脚集成下拉电阻
  • 4凸点WCSP 0.8 mm x 0.8 mm,间距为0.4 mm封装

应用领域

  • 电池供电设备
  • 智能手机
  • GPS和PMP
  • 计算机
  • 医疗保健设备
  • 工业和仪器
  • 手机和便携式媒体播放器
  • 游戏机

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