温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI3443BDV-T1-E3
耐压:20V 电流:4.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100% RH测试。 符合RoHS指令2002/95/EC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3443BDV-T1-E3
- 商品编号
- C727454
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V,4.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
相似推荐
其他推荐
- SI3483CDV-T1-GE3
- SIZ346DT-T1-GE3
- SIA466EDJ-T1-GE3
- SI4804CDY-T1-GE3
- SQJ946EP-T1_GE3
- SI2316DS-T1-GE3
- SIA437DJ-T1-GE3
- SIRA96DP-T1-GE3
- SI4936CDY-T1-E3
- SQ2398ES-T1_GE3
- SQ3461EV-T1_GE3
- SQJ414EP-T1_GE3
- SI3473CDV-T1-GE3
- SIRA26DP-T1-RE3
- SIRA14DP-T1-GE3
- SQ3427EV-T1_GE3
- SQ1912AEEH-T1_GE3
- SQS840EN-T1_GE3
- SI4485DY-T1-GE3
- SIS427EDN-T1-GE3
- SI3477DV-T1-GE3