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SIA466EDJ-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:15.1A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA466EDJ-T1-GE3
- 商品编号
- C727458
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF@1V | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 热增强型PowerPAK SC - 70封装
- 占用面积小
- 低导通电阻
- 典型静电放电（ESD）保护：2500 V（人体模型，HBM）
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 适用于智能手机和移动计算设备
- 直流 - 直流（DC/DC）转换器
- 电源管理
- 负载开关
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