SIS782DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS782DN-T1-GE3
- 商品编号
- C727449
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.025nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品特性
- SkyFET 单片 TrenchFET 功率 MOSFET 和肖特基二极管
- 低热阻 PowerPAK 封装,尺寸小,高度仅 1.07 mm
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
应用领域
-笔记本电脑-系统电源、内存-降压转换器-同步整流开关
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