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SI5418DU-T1-GE3实物图
  • SI5418DU-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI5418DU-T1-GE3

1个N沟道 耐压:30V 电流:12A

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描述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAK ChipFET封装。 RoHS合规。 小尺寸。 低导通电阻。 薄型0.8mm外形。应用：便携式应用的负载开关、功率放大器开关和电池开关。 DC/DC同步整流
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI5418DU-T1-GE3
商品编号
C727445
商品封装
ChipFET-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))14.5mΩ@10V,7.7A
耗散功率(Pd)3.1W；31W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)1.35nF@15V
反向传输电容(Crss)80pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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