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SI5459DU-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:8A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。应用：负载开关。 硬盘
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI5459DU-T1-GE3
- 商品编号
- C727432
- 商品封装
- SMD-8P,3.2x1.6mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V,6.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W；10.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
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