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SI1499DH-T1-GE3
1个P沟道 耐压:8V 电流:1.6A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。TrenchFET功率MOSFET。超低导通电阻。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：便携式设备的负载开关。保证在VGS = 1.2V下工作，对优化设计和延长电池寿命至关重要
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1499DH-T1-GE3
- 商品编号
- C727434
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；2.78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用铜引线框架的新型单通道6引脚SC-70封装，与现有的采用42号合金引线框架的3引脚和6引脚封装相比，可改善导通电阻值并增强热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。该封装的器件有多种导通电阻值可供选择，包括N沟道和P沟道版本。
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- TrenchFET功率MOSFET
- 超低导通电阻
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-便携式设备的负载开关
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