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SI1499DH-T1-GE3实物图
  • SI1499DH-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI1499DH-T1-GE3

1个P沟道 耐压:8V 电流:1.6A

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描述
特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。TrenchFET功率MOSFET。超低导通电阻。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：便携式设备的负载开关。保证在VGS = 1.2V下工作，对优化设计和延长电池寿命至关重要
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI1499DH-T1-GE3
商品编号
C727434
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.030646克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)8V
连续漏极电流(Id)1.6A
导通电阻(RDS(on))78mΩ@4.5V,2A
耗散功率(Pd)2.5W；2.78W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))800mV
栅极电荷量(Qg)16nC@4.5V
输入电容(Ciss)650pF@4V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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