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SQ3410EV-T1_GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SQ3410EV-T1_GE3

汽车级N沟道，30 V（D-S）、175 °C MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：TrenchFET Power MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQ3410EV-T1_GE3
商品编号
C727411
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.029004克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))17.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)5W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)804pF
反向传输电容(Crss)68pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)175pF

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