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SIA465EDJ-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIA465EDJ-T1-GE3

SIA465EDJ-T1-GE3

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIA465EDJ-T1-GE3
商品编号
C727412
商品封装
PowerPAK-SC-70-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.051317克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)11.8A
导通电阻(RDS(on))16.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)2.13nF
反向传输电容(Crss)72pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
  • 热性能增强型PowerPAK SC-70封装
  • 占位面积小
  • 导通电阻低
  • 100%进行栅极电阻(Rg)测试
  • 内置齐纳二极管静电放电(ESD)保护
  • 典型ESD性能:2000 V

应用领域

  • 智能手机、平板电脑、移动计算设备
  • 电池开关
  • 充电器开关
  • 负载开关

数据手册PDF