- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIS780DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS780DN-T1-GE3
- 商品编号
- C727421
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.5nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 722pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- SkyFET 单片 TrenchFET 第三代功率 MOSFET 与肖特基二极管
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 笔记本电脑
- 系统电源、内存
- 降压转换器
- 同步整流开关
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