温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI8425DB-T1-E1

1个P沟道耐压:20V 电流:9.3A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: VMICRO FOOT产品系列基于晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP）技术，该技术采用焊球工艺，无需外部封装来包裹硅芯片。MICRO FOOT产品包括功率MOSFET、模拟开关和功率IC。对于电池供电的紧凑型设备，这种新的封装技术减少了电路板空间需求，提高了热性能，并减轻了有引脚封装产品常见的寄生效应
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI8425DB-T1-E1
商品编号: C727420
商品封装: WLCSP-4(1.6x1.6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.01克(g)

商品参数

商品概述

Vishay Siliconix的MICRO FOOT产品系列基于晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP）技术，该技术采用焊球工艺，无需外部封装来包裹硅芯片。MICRO FOOT产品包括功率MOSFET、模拟开关和功率IC。对于电池供电的紧凑型设备，这种新的封装技术减少了电路板空间需求，提高了热性能，并减轻了有引脚封装产品常见的寄生效应。 Vishay Siliconix的MICRO FOOT产品可以采用与封装表面贴装器件大批量组装相同的工艺技术进行处理。只要适当注意PCB和模板设计，该器件无需底部填充即可实现可靠性能。该器件占用空间小且热路径短的优势使其成为便携式设备（如电池组、个人数字助理、手机和笔记本电脑）等空间受限应用的理想选择。

商品特性

TrenchFET®功率MOSFET
低导通电阻
最大外形尺寸为1.6 mm x 1.6 mm的超小尺寸
最大高度为0.6 mm的超薄设计

应用领域

-便携式设备的低导通电阻负载开关、充电器开关和电池开关

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	9.3A
	导通电阻(RDS(on))	23mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	1.1W
	阈值电压(Vgs(th))	900mV

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	36nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	2.8nF
	反向传输电容(Crss)	305pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	370pF