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SI8425DB-T1-E1实物图
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SI8425DB-T1-E1

1个P沟道 耐压:20V 电流:9.3A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
VMICRO FOOT产品系列基于晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP）技术，该技术采用焊球工艺，无需外部封装来包裹硅芯片。MICRO FOOT产品包括功率MOSFET、模拟开关和功率IC。对于电池供电的紧凑型设备，这种新的封装技术减少了电路板空间需求，提高了热性能，并减轻了有引脚封装产品常见的寄生效应
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI8425DB-T1-E1
商品编号
C727420
商品封装
WLCSP-4(1.6x1.6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.01克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9.3A
导通电阻(RDS(on))23mΩ@4.5V,9.3A
耗散功率(Pd)1.1W
阈值电压(Vgs(th))900mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.8nF@10V
反向传输电容(Crss)305pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)370pF

数据手册PDF

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