SI7153DN-T1-GE3

1个P沟道耐压:30V 电流:18A

描述: 特性：TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。应用：适配器开关。负载开关
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI7153DN-T1-GE3
商品编号: C727409
商品封装: PowerPAK1212-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1741克(g)

商品参数

商品概述

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET，TrenchFET Gen. III P-Channel power MOSFET，100 % Rg and UIS tested。PowerPAK 1212-8 是 PowerPAK SO-8 的衍生产品，利用相同封装技术最大化芯片面积，芯片附着垫底部暴露以提供直接、低电阻热路径到安装设备的基板，将 PowerPAK SO-8 的优势转化到更小封装且具有相同热性能水平。其占地面积与 TSOP-6 相当，比标准 TSSOP-8 小 40%以上，芯片容量是标准 TSOP-6 的两倍多，热性能比 SO-8 好一个数量级，比 TSSOP-8 好 20 倍，能利用任何 PC 板散热器能力，与 TSSOP-8 相比可使结温降低并提高芯片效率约 20%，单双版本引脚输出与单双 PowerPAK SO-8 相同，低 1.05 mm 的高度使其适用于空间受限应用。

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	18A
	导通电阻(RDS(on))	9.5mΩ@10V,18A
	耗散功率(Pd)	3.7W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	62nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.6nF@15V
	反向传输电容(Crss)	396pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	430pF