SQ2351ES-T1_GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:TrenchFET 功率 MOSFET。AEC-Q101 合格。100% Rg 和 UIS 测试。材料分类:有关合规性定义,请参阅相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ2351ES-T1_GE3
- 商品编号
- C727396
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V,3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交3单
相似推荐
其他推荐
- SQ2361ES-T1_GE3
- SIS472BDN-T1-GE3
- SIS932EDN-T1-GE3
- SI3476DV-T1-GE3
- SI5448DU-T1-GE3
- SIRA16DP-T1-GE3
- SI7153DN-T1-GE3
- SIA537EDJ-T1-GE3
- SQ3410EV-T1_GE3
- SIA465EDJ-T1-GE3
- SIA472EDJ-T1-GE3
- SIA929DJ-T1-GE3
- SIR472ADP-T1-GE3
- SQ3426EV-T1_GE3
- SQ3989EV-T1_GE3
- SI4435FDY-T1-GE3
- SI5458DU-T1-GE3
- SI8425DB-T1-E1
- SIS780DN-T1-GE3
- SI2365EDS-T1-GE3
- SI2316BDS-T1-E3
