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SIS932EDN-T1-GE3
30V 6A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 典型ESD（HBM）：1900 V。 100% Rg和UIS测试。应用：DC/DC转换器。 H桥
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS932EDN-T1-GE3
- 商品编号
- C727405
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 14.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 典型ESD（HBM）：1900 V
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- DC/DC转换器
- H桥
- 负载开关
- 电池保护
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