SIP32452DB-T2-GE1

SiP32451、SiP32452和SiP32453是n沟道集成高端负载开关，工作输入电压范围为0.9 V至2.5 V。 SiP32451、SiP32452和SiP32453具有低输入逻辑控制阈值，可直接与低电压控制GPIO接口，无需额外的电平转换或驱动器。该EN逻辑控制引脚有下拉电阻。 开启时间快，对于1.2 V或更高的输入电压，典型开启时间小于25 μs。SiP32451和SiP32452的关断延迟时间快，小于1 μs，而SiP32453的关断延迟时间保证大于30 μs，典型值为90 μs。 SiP32451具有输出放电功能，可实现快速关断。SiP32451、SiP32452和SiP32453采用紧凑的晶圆级CSP封装，WCSP4 0.8 mm × 0.8 mm，间距为0.4 mm。 SiP32451、SiP32452和SiP32453是设计用作高端负载开关的n沟道功率MOSFET。一旦启用该器件，电荷泵会将功率MOSFET的栅极充电至恒定的栅源电压，以实现快速开启时间。几乎恒定的栅源电压可在整个输入电压范围内保持低导通电阻。禁用时，SiP32451和SiP32452会立即将输出n沟道的栅极拉低，以实现快速关断延迟，而SiP32453具有内置关断延迟。特别是SiP32451具有输出放电电路，有助于对输出电容放电。SiP32453的关断延迟保证至少为30 μs。由于输出n沟道的衬底始终连接到地，因此在输出电压高于输入电压的情况下，可防止电流回流到输入。

• 低输入电压，0.9 V至2.5 V
• 低导通电阻，典型值为55 mΩ
• 快速开启时间
• 符合RoHS标准
• 带迟滞的低逻辑控制
• 无卤
• 禁用时可实现反向电流阻断
• EN引脚集成下拉电阻
• 输出放电（SiP32451）
• 4凸点WCSP 0.8 mm × 0.8 mm，间距为0.4 mm封装

• 电池供电设备
• 智能手机
• GPS和PMP
• 计算机
• 医疗保健设备
• 工业和仪器
• 手机和便携式媒体播放器
• 游戏机